Справочник транзисторов. 2N2906ADCSM

 

Биполярный транзистор 2N2906ADCSM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N2906ADCSM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: LCC2
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N2906ADCSM Datasheet (PDF)

 7.1. Size:52K  philips
2n2906 2n2906a 2.pdfpdf_icon

2N2906ADCSM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D1252N2906; 2N2906APNP switching transistors1997 Jun 02Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistors 2N2906; 2N2906AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitte

 7.2. Size:226K  cdil
2n2906a 07a.pdfpdf_icon

2N2906ADCSM

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS 2N2906A2N2907ATO-18Switching And Linear Application DC to VHF Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL 2N2906A, 07A UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter -Base Voltage VEBO 5.0 V

 7.3. Size:100K  microsemi
2n2906aub.pdfpdf_icon

2N2906ADCSM

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2906A 2N2907AJANSD 10K Rads (Si) 2N2906AL 2N2907ALJANSP 30K Rads (Si) 2N2906AUA 2N2907AUAJANS

 7.4. Size:100K  microsemi
2n2906aua.pdfpdf_icon

2N2906ADCSM

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2906A 2N2907AJANSD 10K Rads (Si) 2N2906AL 2N2907ALJANSP 30K Rads (Si) 2N2906AUA 2N2907AUAJANS

Другие транзисторы... 2N2905 , 2N2905A , 2N2905AL , 2N2905L , 2N2905S , 2N2906 , 2N2906A , 2N2906ACSM , 2SD669 , 2N2906AQF , 2N2906CSM , 2N2907 , 2N2907A , 2N2907ACSM , 2N2907ACSM4 , 2N2907AQF , 2N2907AUB .

History: 2SC706 | KMBTA05 | 2SC1400U | DTA602 | ECG311

 

 
Back to Top

 


 
.