Биполярный транзистор BD951F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD951F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220F
BD951F Datasheet (PDF)
bd949f bd951f bd953f bd955f.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD949F/951F/953F/955FDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = 500mAFE CComplement to Type BD950F/952F/954F/956FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD94
bd949 bd950 bd951 bd952 bd953 bd954 bd955 bd956.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package BD949, BD951, BD953, BD955BD950, BD952, BD954, BD956BD949, 951, 953, 955 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSBD950, 952, 954, 956 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSPower Amplifier and Switching ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR12
bd951.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD951DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEODC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = 500mAFE CComplement to Type BD952Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
