Биполярный транзистор BDAP55 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BDAP55
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам