BDAP55. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDAP55
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BDAP55
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDAP55 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BD978, BD979, BD980, BDAP36, BDAP54, BDAP54A, BDAP54B, BDAP54C, BC337, BDB01A, BDB01B, BDB01D, BDB02A, BDB02B, BDB02C, BDB02D, BDB03
History: 2SC2613K | 2SC15 | 2SA2126 | 2SA2013 | 2SA1774 | 2SC1506
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent