Справочник транзисторов. BDB01A

 

Биполярный транзистор BDB01A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDB01A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для BDB01A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDB01A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:132K  motorola
 bdb01cre.pdf pdf_icon

BDB01A

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDB01C/DOne Watt Amplifier TransistorsBDB01C,DNPN SiliconCOLLECTOR32BASE1231EMITTERCASE 2905, STYLE 1MAXIMUM RATINGSTO92 (TO226AE)Rating Symbol BDB01C BDB01D UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 80 100 VdcCollectorBase Voltage VCES 80 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcColl

Другие транзисторы... BD979 , BD980 , BDAP36 , BDAP54 , BDAP54A , BDAP54B , BDAP54C , BDAP55 , BD140 , BDB01B , BDB01D , BDB02A , BDB02B , BDB02C , BDB02D , BDB03 , BDB04 .

History: MMUN2111L | CH847UPNGP | DTL4451

 

 
Back to Top

 


 
.