BDB03 - описание и поиск аналогов

 

BDB03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDB03

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BDB03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDB03 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BDAP55, BDB01A, BDB01B, BDB01D, BDB02A, BDB02B, BDB02C, BDB02D, D882, BDB04, BDB05, BDB06, BDBO1C, BDC01A, BDC01B, BDC01C, BDC01D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.