BDC02C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDC02C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BDC02C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDC02C даташит
bdc02dre.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BDC02D/D One Watt Amplifier Transistor BDC02D PNP Silicon COLLECTOR 2 3 BASE 1 2 3 1 EMITTER CASE 29 05, STYLE 14 MAXIMUM RATINGS TO 92 (TO 226AE) Rating Symbol BDC02D Unit Collector Emitter Voltage VCEO 100 Vdc Collector Base Voltage VCBO 100 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector
Другие транзисторы: BDB06, BDBO1C, BDC01A, BDC01B, BDC01C, BDC01D, BDC02A, BDC02B, 2SC2073, BDC02D, BDC03, BDC04, BDC05, BDC06, BDC07, BDC08, BDCP20
History: V129 | MP3615 | 2N5125 | BC847C | 2N5128 | 2SC3470
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet

