Биполярный транзистор BDC02C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDC02C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
BDC02C Datasheet (PDF)
9.1. Size:136K motorola
bdc02dre.pdf
bdc02dre.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDC02D/DOne Watt Amplifier TransistorBDC02DPNP SiliconCOLLECTOR23BASE1231EMITTERCASE 2905, STYLE 14MAXIMUM RATINGSTO92 (TO226AE)Rating Symbol BDC02D UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 100 VdcCollectorBase Voltage VCBO 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050