BDC02D - описание и поиск аналогов

 

BDC02D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDC02D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BDC02D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDC02D даташит

 0.1. Size:136K  motorola
 bdc02dre.pdf pdf_icon

BDC02D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BDC02D/D One Watt Amplifier Transistor BDC02D PNP Silicon COLLECTOR 2 3 BASE 1 2 3 1 EMITTER CASE 29 05, STYLE 14 MAXIMUM RATINGS TO 92 (TO 226AE) Rating Symbol BDC02D Unit Collector Emitter Voltage VCEO 100 Vdc Collector Base Voltage VCBO 100 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector

Другие транзисторы: BDBO1C, BDC01A, BDC01B, BDC01C, BDC01D, BDC02A, BDC02B, BDC02C, S9014, BDC03, BDC04, BDC05, BDC06, BDC07, BDC08, BDCP20, BDCP25

 

 

 

 

↑ Back to Top
.