BDT51. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDT51
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BDT51
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDT51 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BDT42, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, BDT42F, BC546, BDT52, BDT53, BDT54, BDT55, BDT56, BDT57, BDT58, BDT60
History: 2SC2168 | 2SC2177 | DTC043EUB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945
