BDT57. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDT57
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BDT57
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDT57 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BDT42CF, BDT42F, BDT51, BDT52, BDT53, BDT54, BDT55, BDT56, TIP127, BDT58, BDT60, BDT60A, BDT60AF, BDT60B, BDT60BF, BDT60C, BDT60CF
History: BDT56
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015