BDT60BF - описание и поиск аналогов

 

BDT60BF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDT60BF

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BDT60BF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT60BF даташит

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
 bdt60f bdt60af bdt60bf bdt60cf.pdf pdf_icon

BDT60BF

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60F/AF/BF/CF DESCRIPTION DC Current Gain -h = 750(Min)@ I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF CEO(SUS) -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APP

 8.1. Size:216K  inchange semiconductor
 bdt60 bdt60a bdt60b bdt60c.pdf pdf_icon

BDT60BF

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -h = 750(Min)@ I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A; CEO(SUS) -100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C Complement to Type BDT61/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desi

 9.1. Size:108K  inchange semiconductor
 bdt60f-af-bf-cf bdt60f af bf cf.pdf pdf_icon

BDT60BF

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60F/AF/BF/CF DESCRIPTION DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS Designed for use in

Другие транзисторы: BDT55, BDT56, BDT57, BDT58, BDT60, BDT60A, BDT60AF, BDT60B, 9014, BDT60C, BDT60CF, BDT60F, BDT60L, BDT61, BDT61A, BDT61AF, BDT61B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.