BDT60C - описание и поиск аналогов

 

BDT60C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDT60C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDT60C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT60C даташит

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
bdt60 bdt60a bdt60b bdt60c.pdfpdf_icon

BDT60C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -h = 750(Min)@ I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A; CEO(SUS) -100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C Complement to Type BDT61/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desi

 0.1. Size:216K  inchange semiconductor
bdt60f bdt60af bdt60bf bdt60cf.pdfpdf_icon

BDT60C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60F/AF/BF/CF DESCRIPTION DC Current Gain -h = 750(Min)@ I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF CEO(SUS) -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APP

 9.1. Size:108K  inchange semiconductor
bdt60f-af-bf-cf bdt60f af bf cf.pdfpdf_icon

BDT60C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60F/AF/BF/CF DESCRIPTION DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS Designed for use in

Другие транзисторы: BDT56, BDT57, BDT58, BDT60, BDT60A, BDT60AF, BDT60B, BDT60BF, TIP42, BDT60CF, BDT60F, BDT60L, BDT61, BDT61A, BDT61AF, BDT61B, BDT61BF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.