Биполярный транзистор 2N1016B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1016B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: MT38-2
2N1016B Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1015A , 2N1015B , 2N1015C , 2N1015D , 2N1015E , 2N1015F , 2N1016 , 2N1016A , 2SC2655 , 2N1016C , 2N1016D , 2N1016E , 2N1016F , 2N1017 , 2N1018 , 2N1019 , 2N102 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050