BDV10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDV10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDV10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDV10 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BDT93, BDT93F, BDT94, BDT94F, BDT95, BDT95F, BDT96, BDT96F, 2SD1047, BDV11, BDV12, BDV13, BDV14, BDV15, BDV16, BDV17, BDV18