BDV50 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDV50
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BDV50
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDV50 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BDV36, BDV37, BDV38, BDV45, BDV46, BDV47, BDV48, BDV49, 2SD313, BDV64, BDV64A, BDV64B, BDV64C, BDV65, BDV65A, BDV65B, BDV65C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor
