BDV92 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDV92

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BDV92

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDV92 даташит

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
 bdv92 bdv94 bdv96.pdf pdf_icon

BDV92

isc Silicon PNP Power Transistor BDV92/94/96 DESCRIPTION Collector Current -I = -10A C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BDV92; -60V(Min)- BDV94 CEO(SUS) -80V(Min)- BDV96 Complement to Type BDV91/93/95 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stages and general amp

Другие транзисторы: BDV66C, BDV66D, BDV67, BDV67A, BDV67B, BDV67C, BDV67D, BDV91, D965, BDV93, BDV94, BDV95, BDV96, BDW10, BDW10A, BDW12, BDW12A