Биполярный транзистор 2N2920 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N2920
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO77
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N2920 Datasheet (PDF)
2n2920.pdf

2N2920MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)8.51 (0.335)9.40 (0.370)DUAL NPN7.75 (0.305)8.51 (0.335)PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE1.02(0.040)Max.0.41 (0.016)0.53 (0.021)5.08(0.200)2.54(0.100)42.545(0.100)0.74 (0.029)3 61.14 (0.045)2145 0.71 (0.028)0.86 (0.034)TO77 PACKAGEPIN 1 Collector 1 PIN 4 Emitter 2PIN 2
2n2920ahr.pdf

2N2920AHRHi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 ADatasheet - production dataFeaturesBVCEO 60 VIC (max) 0.03 AHFE at 10 V - 150 mA > 300Operating temperature range -65C to +200C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPLFigure 1. Internal schematic
2n2920adcsm.pdf

2N2920ADCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar NPN Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 60V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.03A C(0
2n2920l.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /355 DEVICES LEVELS 2N2919 2N2919L 2N2919U JAN
Другие транзисторы... 2N2917 , 2N2917DCSM , 2N2918 , 2N2918DCSM , 2N2919 , 2N2919A , 2N2919DCSM , 2N292 , TIP41 , 2N2920A , 2N2920DCSM , 2N2921 , 2N2922 , 2N2923 , 2N2924 , 2N2925 , 2N2926 .
History: SD1019-5 | 3DD8 | TI3034 | BCY54A | BC846BT | BDY58 | EFT367
History: SD1019-5 | 3DD8 | TI3034 | BCY54A | BC846BT | BDY58 | EFT367



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328