Справочник транзисторов. BDW23C

 

Биполярный транзистор BDW23C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDW23C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BDW23C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW23C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 bdw23 bdw23a bdw23b bdw23c.pdf pdf_icon

BDW23C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW23/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 6ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 2AFE CComplement to Type BDW24/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for hammer drivers, audio amplifiers applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 9.1. Size:38K  fairchild semi
 bdw23a.pdf pdf_icon

BDW23C

BDW23/A/B/CHammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Darlington TR Complement to BDW24, BDW24A, BDW24B and BDW24C respectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BDW23 45 V: BDW23A 60 V: BDW23B 80 V: BDW23C

 9.2. Size:116K  inchange semiconductor
 bdw23-a-b-c bdw23a-b-c.pdf pdf_icon

BDW23C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW23/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ IC= 2A Complement to Type BDW24/A/B/C APPLICATIONS Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBDW23 45BDW23A 6

 9.3. Size:169K  inchange semiconductor
 bdw23 a b c.pdf pdf_icon

BDW23C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW23/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ IC= 2A Complement to Type BDW24/A/B/C APPLICATIONS Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBDW23 45BDW23A 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.