BDW24A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDW24A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BDW24A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDW24A даташит
bdw24 bdw24a bdw24b bdw24c.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW24/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -6A C High DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = -2A FE C Complement to Type BDW23/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL
bdw24a-b-c bdw24 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW24/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ IC= -2A Complement to Type BDW23/A/B/C APPLICATIONS Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BDW24 -45 BDW24
bdw24c.pdf
BDW24/A/B/C Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Darlington TR Complement to BDW23, BDW23A, BDW23B and BDW23C respectively TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BDW24 - 45 V BDW24A - 60 V BDW24B - 80 V
bdw24b.pdf
BDW24, BDW24A, BDW24B, BDW24C PNP SILICON POWER DARLINGTONS Designed for Complementary Use with BDW23, BDW23A, BDW23B and BDW23C TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 50 W at 25 C Case Temperature 6 A Continuous Collector Current B 1 Minimum hFE of 750 at 2 A, 3 V C 2 E 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRACA absolute maximum ratings at 25 C case te
Другие транзисторы: BDW22A, BDW22B, BDW22C, BDW23, BDW23A, BDW23B, BDW23C, BDW24, BDT88, BDW24C, BDW25, BDW25-10, BDW25-4, BDW25-6, BDW30, BDW32, BDW34
History: CTP1350 | 2SA1606E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c


