BDW51C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDW51C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BDW51C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDW51C даташит
bdw51 bdw51a bdw51b bdw51c.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDW51/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = 15A C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 45V(Min)- BDW51; 60V(Min)- BDW51A CEO(SUS) 80V(Min)- BDW51B; 100V(Min)- BDW51C Complement to Type BDW52/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power linear and sw
bdw51c.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDW51C DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type BDW52C Excellent safe operating area APPLICATIONS For use in power linear and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings
bdw51 bdw52.pdf
BDW51C BDW52C SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 EQUIPMENT 2 DESCRIPTION The BDW51C is a silicon epitaxial-base NPN TO-3 transistor in Jedec TO-3 metal case. It is intended for use in power
bdw51b.pdf
BDW51B Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 80V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 15A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
Другие транзисторы: BDW43, BDW44, BDW45, BDW46, BDW48, BDW51, BDW51A, BDW51B, BD140, BDW52, BDW52A, BDW52C, BDW53, BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet


