BDW52 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW52

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDW52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW52 даташит

 ..1. Size:66K  st
 bdw51 bdw52.pdf pdf_icon

BDW52

BDW51C BDW52C SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 EQUIPMENT 2 DESCRIPTION The BDW51C is a silicon epitaxial-base NPN TO-3 transistor in Jedec TO-3 metal case. It is intended for use in power

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 bdw52 bdw52a bdw52b bdw52c.pdf pdf_icon

BDW52

isc Silicon PNP Power Transistor BDW52/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -15A C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BDW52; -60V(Min)- BDW52A CEO(SUS) -80V(Min)- BDW52B; -100V(Min)- BDW52C Complement to Type BDW51/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power linear a

 ..3. Size:214K  inchange semiconductor
 bdw52 a b c.pdf pdf_icon

BDW52

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BDW52/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -15A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDW52; -60V(Min)- BDW52A -80V(Min)- BDW52B; -100V(Min)- BDW52C Complement to Type BDW51/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear and switching applications. ABS

 0.1. Size:11K  semelab
 bdw52b.pdf pdf_icon

BDW52

BDW52B Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar PNP Device. 3 VCEO = 80V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 15A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDW44, BDW45, BDW46, BDW48, BDW51, BDW51A, BDW51B, BDW51C, TIP3055, BDW52A, BDW52C, BDW53, BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW54