2N2922. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2922

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N2922

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2922 даташит

 9.1. Size:331K  general electric
 2n292 2n293.pdf pdf_icon

2N2922

 9.2. Size:35K  general electric
 2n2926.pdf pdf_icon

2N2922

 9.3. Size:407K  st
 2n2920ahr.pdf pdf_icon

2N2922

2N2920AHR Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 A Datasheet - production data Features BVCEO 60 V IC (max) 0.03 A HFE at 10 V - 150 mA > 300 Operating temperature range -65 C to +200 C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPL Figure 1. Internal schematic

 9.4. Size:11K  semelab
 2n2920adcsm.pdf pdf_icon

2N2922

2N2920ADCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 60V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.03A C (0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2919, 2N2919A, 2N2919DCSM, 2N292, 2N2920, 2N2920A, 2N2920DCSM, 2N2921, 2N3055, 2N2923, 2N2924, 2N2925, 2N2926, 2N2926-1, 2N2926-2, 2N2926-4, 2N2926-5