Справочник транзисторов. 2N2922

 

Биполярный транзистор 2N2922 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N2922
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N2922 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:331K  general electric
2n292 2n293.pdfpdf_icon

2N2922

 9.2. Size:35K  general electric
2n2926.pdfpdf_icon

2N2922

 9.3. Size:407K  st
2n2920ahr.pdfpdf_icon

2N2922

2N2920AHRHi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 ADatasheet - production dataFeaturesBVCEO 60 VIC (max) 0.03 AHFE at 10 V - 150 mA > 300Operating temperature range -65C to +200C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPLFigure 1. Internal schematic

 9.4. Size:11K  semelab
2n2920adcsm.pdfpdf_icon

2N2922

2N2920ADCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar NPN Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 60V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.03A C(0

Другие транзисторы... 2N2919 , 2N2919A , 2N2919DCSM , 2N292 , 2N2920 , 2N2920A , 2N2920DCSM , 2N2921 , 13007 , 2N2923 , 2N2924 , 2N2925 , 2N2926 , 2N2926-1 , 2N2926-2 , 2N2926-4 , 2N2926-5 .

History: S1202 | AM83135-003 | 2N4237 | 2N6079 | STB1188 | PXT8050-C | 2PA1774S

 

 
Back to Top

 


 
.