Биполярный транзистор BDW64 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDW64
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO220
BDW64 Datasheet (PDF)
bdw64 a b c d.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= -6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMET
bdw64 bdw64a bdw64b bdw64c bdw64d.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/DDESCRIPTIONCollector Current -I = -6ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = -2AFE CComplement to Type BDW63/A/B/C/DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050