BDW73A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW73A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW73A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW73A даташит

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
bdw73 bdw73a bdw73b bdw73c bdw73d.pdfpdf_icon

BDW73A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -I = 8A C High DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 3A FE C Complement to Type BDW74/A/B/C/D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:253K  inchange semiconductor
bdw73 a b c d.pdfpdf_icon

BDW73A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 3A Complement to Type BDW74/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: BDW63C, BDW63D, BDW64, BDW64A, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW73, TIP31, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW74, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D