2N2926. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2926

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N2926

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2926 даташит

 ..1. Size:35K  general electric
2n2926.pdfpdf_icon

2N2926

 9.1. Size:331K  general electric
2n292 2n293.pdfpdf_icon

2N2926

 9.2. Size:407K  st
2n2920ahr.pdfpdf_icon

2N2926

2N2920AHR Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 A Datasheet - production data Features BVCEO 60 V IC (max) 0.03 A HFE at 10 V - 150 mA > 300 Operating temperature range -65 C to +200 C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPL Figure 1. Internal schematic

Другие транзисторы: 2N2920, 2N2920A, 2N2920DCSM, 2N2921, 2N2922, 2N2923, 2N2924, 2N2925, BC337, 2N2926-1, 2N2926-2, 2N2926-4, 2N2926-5, 2N2926B, 2N2926G, 2N2926O, 2N2926R