Биполярный транзистор BDX10H Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BDX10H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналог (замена) для BDX10H
BDX10H Datasheet (PDF)
NO PDF!
Другие транзисторы... BDW94B , BDW94C , BDX10 , BDX10-4 , BDX10-5 , BDX10-6 , BDX10-7 , BDX10C , 2SC1740 , BDX11 , BDX11-4 , BDX11-5 , BDX11-6 , BDX11-7 , BDX12 , BDX13 , BDX13-4 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet