Справочник транзисторов. BDX33

 

Биполярный транзистор BDX33 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDX33
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BDX33

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  st
bdx33 bdw34.pdfpdf_icon

BDX33

BDX33B BDX33CBDX34B BDX34C COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe BDX33B and BDX33C are siliconepitaxial-base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration and aremounted in Jedec TO-220 plastic package. Theyare intented for use in power linear and switchingapplications.32The complementary P

 ..2. Size:183K  cdil
bdx33 bdx34 abcd.pdfpdf_icon

BDX33

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS BDX33, 33A, 33B, 33C, 33DBDX34, 34A, 34B, 34C, 34DTO-220Plastic PackagePower Darlington for Linear Switchilng ApplicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BDX33 BDX33A BDX33B BDX33C BDX33D UNITBDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34DCollector -Emitter

 ..3. Size:61K  inchange semiconductor
bdx33 a b c.pdfpdf_icon

BDX33

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDX33/A/B/C DESCRIPTION With TO-220C package High DC current gain DARLINGTON Complement to type BDX34/A/B/C APPLICATIONS For power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25)

 ..4. Size:214K  inchange semiconductor
bdx33.pdfpdf_icon

BDX33

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX33DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 4AFE CLow Collector Saturation Voltage: V = 2.5V(Max.)@ I = 4ACE(sat) CComplement to Type BDX34Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned

Другие транзисторы... BDX29-10 , BDX29-6 , BDX30 , BDX30-10 , BDX30-6 , BDX30B , BDX31 , BDX32 , BC546 , BDX33A , BDX33B , BDX33C , BDX33D , BDX33E , BDX34 , BDX34A , BDX34B .

 

 
Back to Top

 


 
.