Биполярный транзистор BDX83A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDX83A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO3
BDX83A Datasheet (PDF)
bdx83 bdx83a bdx83b bdx83c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83ACEO(SUS)80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switchingHammer driversSe
bdx83 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A 80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulators A
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050