Справочник транзисторов. BDX85

 

Биполярный транзистор BDX85 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDX85
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BDX85

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX85 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  inchange semiconductor
bdx85 a b c.pdfpdf_icon

BDX85

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear and s

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
bdx85 bdx85a bdx85b bdx85c.pdfpdf_icon

BDX85

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 750(Min)@ I = 3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85ACEO(SUS)80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85CComplement to Type BDX86/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesign

Другие транзисторы... BDX83 , BDX83A , BDX83B , BDX83C , BDX84 , BDX84A , BDX84B , BDX84C , 2SD669 , BDX85A , BDX85B , BDX85C , BDX86 , BDX86A , BDX86B , BDX86C , BDX87 .

History: 2SC2769 | 2SC1054 | C5T4062 | BCW48A

 

 
Back to Top

 


 
.