BDX85C - описание и поиск аналогов

 

BDX85C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDX85C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDX85C

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX85C даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdx85 bdx85a bdx85b bdx85c.pdf pdf_icon

BDX85C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 750(Min)@ I = 3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A CEO(SUS) 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Design

 9.1. Size:269K  inchange semiconductor
 bdx85 a b c.pdf pdf_icon

BDX85C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- hFE= 750(Min)@ IC= 3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear and s

Другие транзисторы... BDX83C , BDX84 , BDX84A , BDX84B , BDX84C , BDX85 , BDX85A , BDX85B , 2SA1015 , BDX86 , BDX86A , BDX86B , BDX86C , BDX87 , BDX87A , BDX87B , BDX87C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.