Биполярный транзистор 2N1016F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1016F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: MT38-2
2N1016F Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1015E , 2N1015F , 2N1016 , 2N1016A , 2N1016B , 2N1016C , 2N1016D , 2N1016E , SS8050 , 2N1017 , 2N1018 , 2N1019 , 2N102 , 2N1020 , 2N1021 , 2N102-13 , 2N1021A .