BDY25. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDY25
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BDY25
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDY25 даташит
bdy23 bdy24 bdy25 180t2 181t2 182t2.pdf
BDY23, 180 T2 BDY24, 181 T2 BDY25, 182 T2 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY23, 180T2 60 VCEO Collector-Emitter Voltage BDY24, 181T2 90 V BDY25, 182T2 140 BDY23, 180T2 60 VCBO Collector-Base Voltage BDY24, 181T2 100 V BDY25, 182T2 200 BDY23, 180T2 VEBO Emit
bdy25.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY25 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.6V(Max)@ I = 2A CE(sat C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for LF signal powe amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT
bdy23-bdy24-bdy25-180t2-181t2-182t2.pdf
BDY23, 180 T2 BDY24, 181 T2 BDY25, 182 T2 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY23, 180T2 60 Collector-Emitter Voltage VCEO BDY24, 181T2 90 V BDY25, 182T2 140 BDY23, 180T2 60 VCBO Collector-Base Voltage BDY24, 181T2 100 V BDY25, 182T2 200 BDY23, 180T2 VEBO Emitt
bdy25b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY25B DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.6V(Max)@ I = 2A CE(sat C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for LF signal powe amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA
Другие транзисторы... BDY23 , BDY23A , BDY23B , BDY23C , BDY24 , BDY24A , BDY24B , BDY24C , 2SC4793 , BDY25A , BDY25B , BDY25C , BDY26 , BDY26A , BDY26B , BDY26C , BDY27 .
History: 2SC911
History: 2SC911
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor


