Биполярный транзистор BDY26C Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BDY26C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO3
Аналог (замена) для BDY26C
BDY26C Datasheet (PDF)
bdy26c.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDY26CDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 2ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RA
bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf

COMSETSEMICONDUCTORSBDY26, 183 T2BDY27, 184 T2BDY28, 185 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSEDMESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY26, 183T2 180VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 VBDY28, 185T2 250BDY26, 183T2 300VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 VBDY28, 185T2 50
bdy26.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDY26DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 2ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Другие транзисторы... BDY24C , BDY25 , BDY25A , BDY25B , BDY25C , BDY26 , BDY26A , BDY26B , 8050 , BDY27 , BDY27A , BDY27B , BDY27C , BDY28 , BDY28A , BDY28B , BDY28C .
History: SPS4451 | 2SC92 | BFS25A
History: SPS4451 | 2SC92 | BFS25A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640