Биполярный транзистор BDY82 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BDY82
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналог (замена) для BDY82
BDY82 Datasheet (PDF)
bdy82.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BDY82DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = -4ACCollector Power Dissipation-: P = 36W @T = 25C CComplement to Type BDY80Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
Другие транзисторы... BDY80 , BDY80A , BDY80B , BDY80C , BDY81 , BDY81A , BDY81B , BDY81C , 2N3904 , BDY82A , BDY82B , BDY82C , BDY83 , BDY83A , BDY83B , BDY83C , BDY87 .
History: 2N6733 | 2SD1411O | 2N636A | 2N829 | 3DD4804 | RT5N333C | BDX12
History: 2N6733 | 2SD1411O | 2N636A | 2N829 | 3DD4804 | RT5N333C | BDX12



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n