Биполярный транзистор BF111 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BF111
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60M MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам