Биполярный транзистор BF115 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BF115
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.145 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115M MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам