BF177 - описание и поиск аналогов

 

BF177. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF177

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BF177

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF177 даташит

 0.1. Size:228K  philips
 pmbfj174 pmbf175 pmbf176 pmbf177.pdf pdf_icon

BF177

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors Product specification April 1995 NXP Semiconductors Product specification P-channel silicon field-effect transistors PMBFJ174 to 177 DESCRIPTION Silicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes.They are intended for application with analogue swi

Другие транзисторы: BF168, BF169, BF169R, BF170, BF173, BF174, BF175, BF176, A1015, BF178, BF179, BF179A, BF179B, BF179C, BF180, BF181, BF182

 

 

 

 

↑ Back to Top
.