Биполярный транзистор BF257 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF257
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO39
BF257 Datasheet (PDF)
bf257 bf258 bf259.pdf
BF257BF258-BF259HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BF257, BF258 and BF259 are silicon planarepitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 metalcase.They are particularly designed for videooutputstages in CTV and MTV sets, class A audio outputstages and drivers for horizontal deflection circuits.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSValueSymbol Para
kf124 kf125 bf167 bf173 bf257 bf258 bf259 kf422 bf457 bf458 bf459 kf469 kf503 kf504 kf506 kf507 kf508-a kf509 kf524 kf525 ks500 sf240 sf245 sf357 sf358 sf359 kf589 kf590.pdf
bf257 bf258 bf259.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS BF257, BF 258, BF259TO-39Metal Can PackageINTENDED FOR VIDEO OUTPUT STAGES IN BLACK AND WHITE AND IN COLOUR TELEVISION REVEIVERS.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BF257 BF258 BF259 UNITSVCEOCollector Emit
bf257dcsm.pdf
BF257DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar NPN Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 160V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.1A C(0.0
bf257csm4.pdf
BF257CSM4SILICON PLANAR NPN HIGHMECHANICAL DATAVOLTAGE TRANSISTOR IN A Dimensions in mm (inches)CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGE1.40 0.155.59 0.13(0.055 0.006)(0.22 0.005)0.25 0.03(0.01 0.001)0.23rad.(0.009)3 20.234 1min.(0.009)FEATURES High Voltage1.02 0.20 2.03 0.20(0.04 0.008) (0.08 0.008) Ceramic Surface Mount
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050