Биполярный транзистор 2N102 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N102
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: MM3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам