Биполярный транзистор 2N299 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N299
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.02 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO30
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам