2N2990. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2990

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 155 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N2990

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2990 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N2983, 2N2984, 2N2985, 2N2986, 2N2987, 2N2988, 2N2989, 2N299, BD139, 2N2991, 2N2992, 2N2993, 2N2994, 2N2995, 2N2996, 2N2997, 2N2998