BF495 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF495  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 67

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF495

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF495 даташит

 ..1. Size:48K  philips
 bf494 bf495.pdf pdf_icon

BF495

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BF494; BF495 NPN medium frequency transistors 1997 Jul 08 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium frequency transistors BF494; BF495 FEATURES PINNING Low current (max. 30 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage

 ..2. Size:142K  cdil
 bf494 bf495.pdf pdf_icon

BF495

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL RF TRANSISTORS BF494 BF495 TO-92 Plastic Package High Voltage Video Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL Value UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 30 V VEBO Emitter Base Vol

Другие транзисторы: BF493Q, BF493S, BF493SP, BF494, BF494A, BF494B, BF494C, BF494D, BDT88, BF495B, BF495C, BF495D, BF496, BF497, BF500, BF500A, BF501