BF858. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF858

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 270 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BF858

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF858 даташит

 ..1. Size:63K  philips
 bf857 bf858 bf859.pdf pdf_icon

BF858

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF857; BF858; BF859 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859 DESCRIPTION NPN transistors in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version

Другие транзисторы: BF845, BF847, BF848, BF850, BF857, BF857A, BF857BA, BF857EA, BD333, BF858A, BF858EA, BF859, BF859A, BF859BA, BF859EA, BF860, BF869