Биполярный транзистор BF859 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF859
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO202
BF859 Datasheet (PDF)
bf857 bf858 bf859.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF857; BF858; BF859NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859DESCRIPTIONNPN transistors in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version
bf859.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D067BF859NPN high-voltage transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor BF859DESCRIPTIONNPN transistor in a TO-202 plastic package.handbook, halfpageAn A-version with e-b-c pinning instead of e-c-b isavailable on re
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050