BF870S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF870S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BF870S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF870S даташит

 9.1. Size:63K  philips
 bf870 bf872.pdf pdf_icon

BF870S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF870; BF872 PNP high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistors BF870; BF872 FEATURES Low feedback capacitance. handbook, halfpage APPLICATIONS For use in class-B video o

Другие транзисторы: BF869BA, BF869EA, BF869S, BF869SA, BF870, BF870A, BF870BA, BF870EA, S8050, BF870SA, BF871, BF871A, BF871BA, BF871EA, BF871S, BF871SA, BF872