Биполярный транзистор BFG17A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFG17A
Маркировка: E6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2800 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT143
BFG17A Datasheet (PDF)
bfg17.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG17ANPN 3 GHz wideband transistor1995 Sep 12Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 3 GHz wideband transistor BFG17ADESCRIPTION PINNINGNPN wideband transistor in aPIN DESCRIPTIONmicrominiature plastic SOT143handbook, 2 columns43Code: E6surface mounting envelop
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050