Биполярный транзистор BFG65T Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BFG65T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO131
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам