Справочник транзисторов. BFJ17

 

Биполярный транзистор BFJ17 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFJ17
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для BFJ17

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFJ17 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:76K  motorola
mmbfj175.pdfpdf_icon

BFJ17

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBFJ175LT1/DJFET ChopperMMBFJ175LT1PChannel DepletionMotorola Preferred Device2 SOURCE3GATE31 DRAIN12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDG 25 VReverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VTHERMAL CHARACTERISTICSCharact

 0.2. Size:56K  motorola
mmbfj175lt1rev0d.pdfpdf_icon

BFJ17

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBFJ175LT1/DJFET ChopperMMBFJ175LT1PChannel DepletionMotorola Preferred Device2 SOURCE3GATE31 DRAIN12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDG 25 VReverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VTHERMAL CHARACTERISTICSCharact

 0.3. Size:57K  motorola
mmbfj177lt1rev0d.pdfpdf_icon

BFJ17

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBFJ177LT1/DJFET ChopperPChannel Depletion MMBFJ177LT12 SOURCE3GATE1 DRAIN31MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainGate Voltage VDG 25 VdcCASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)Reverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VdcTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max Unit

 0.4. Size:31K  philips
pmbfj174 pmbfj175 pmbfj176 pmbfj177 cnv 2.pdfpdf_icon

BFJ17

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBFJ174 to 177P-channel silicon field-effecttransistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationP-channel silicon field-effect transistors PMBFJ174 to 177DESCRIPTIONSilicon symmetrical p-channeljunction FETs in plasticmicrominiature SOT23envelopes.They are int

Другие транзисторы... BFG91A , BFG92A , BFG92AX , BFG93A , BFG93AX , BFG94 , BFG96 , BFG97 , C1815 , BFJ18 , BFJ19 , BFJ21 , BFJ22 , BFJ45 , BFJ46 , BFJ47 , BFJ48 .

History: 2N3219 | 2PB709ART

 

 
Back to Top

 


 
.