Биполярный транзистор BFN16 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFN16
Маркировка: DD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT89
BFN16 Datasheet (PDF)
bfn16 bfn18.pdf
NPN Silicon High-Voltage Transistors BFN 16BFN 18 Suitable for video output stages in TV setsand switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BFN 17, BFN 19 (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BFN 16 DD Q62702-F885 B C E SOT-89BFN 18 DE Q62702-F1056Maximum Ratings
bfn16.pdf
SOT89 NPN SILICON PLANARBFN16HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 3 - OCTOBER 1995 CCOMPLEMENTARY TYPE - BFN17EPARTMARKING DETAILS - DDCBABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO 250 VCollector-Emitter Voltage VCEO 250 VEmitter-Base Voltage VEBO 5VPeak Pulse Current ICM 500 mAContinuous Collector Current IC 200 mABase Current IB 10
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050