Биполярный транзистор BFN24 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFN24
Маркировка: FH_FHs
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT23
BFN24 Datasheet (PDF)
bfn24 bfn26.pdf
NPN Silicon High-Voltage Transistors BFN 24BFN 26 Suitable for video output stages in TV setsand switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BFN 25, BFN 27 (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BFN 24 FHs Q62702-F1065 B E C SOT-23BFN 26 FJs Q62702-F976Maximum Ratings
bfn24 bfn26.pdf
BFN24, BFN26NPN Silicon High-Voltage Transistors Suitable for video output stages in TV sets23 and switching power supplies1 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: BFN27 (PNP) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101Type Marking Pin Configuration PackageBFN24 FHs 1=B 2=E 3=C SOT23 BFN
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050