BFN25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFN25

Маркировка: FK_FKs

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFN25

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFN25 даташит

 ..1. Size:140K  siemens
 bfn25 bfn27.pdf pdf_icon

BFN25

PNP Silicon High-Voltage Transistors BFN 25 BFN 27 Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BFN 24, BFN 26 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BFN 25 FKs Q62702-F1066 B E C SOT-23 BFN 27 FLs Q62702-F977 Maximum Ratings

Другие транзисторы: BFN19, BFN20, BFN21, BFN22, BFN22R, BFN23, BFN23R, BFN24, TIP35C, BFN26, BFN27, BFN36, BFN37, BFN38, BFN39, BFP10, BFP11